Proizvođač Broj proizvoda:
IRF9Z34NPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF9Z34NPBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Detaljan opis:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
78565 kom. Nova originalna na skladištu
12803318
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF9Z34NPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
55 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
620 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
68W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IRF9Z34
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
SP001560182
IFEINFIRF9Z34NPBF
2156-IRF9Z34NPBF
*IRF9Z34NPBF
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPC60R2K0C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI45N06S409AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
IPI06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
