Proizvođač Broj proizvoda:
IRF7907PBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF7907PBF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12823179
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF7907PBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.1A, 11A
Srs Na (maks) @ id, vgs
16.4mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.35V @ 25µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
850pF @ 15V
Snaga - Maks
2W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Osnovni broj proizvoda
IRF7907
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
95
Ostala imena
SP001572250
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7910TRPBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
IRF7102
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
IRF7303TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
