Proizvođač Broj proizvoda:
IRF7807VD1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF7807VD1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805321
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF7807VD1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
FETKY™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8.3A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
Schottky Diode (Isolated)
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
95
Ostala imena
*IRF7807VD1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
ZXMN3B04N8TA
Proizvođač
Diodes Incorporated
KOLIČINA DOSTUPNA
2078
DiGi BROJ DELOVA
ZXMN3B04N8TA-DG
JEDINIČNA CENA
0.40
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7811AVPBF
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
IRFBA1404P
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
IPW65R310CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
