Proizvođač Broj proizvoda:
IRF6678
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF6678-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12805660
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF6678 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Ta), 150A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.25V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5640 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DIRECTFET™ MX
Paket / slučaj
DirectFET™ Isometric MX
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,800
Ostala imena
SP001526792
IRF6678TR
IRF6678CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
PSMN2R0-30YL,115
Proizvođač
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
20769
DiGi BROJ DELOVA
PSMN2R0-30YL,115-DG
JEDINIČNA CENA
0.57
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFS59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
