IRF6645

Proizvođač Broj proizvoda:

IRF6645

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

Broj dela:

IRF6645-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

Detaljan opis:

N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ

Inventar:

RFQ Online

12803200

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

IRF6645 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Infineon Technologies

Pakovanje

-

Serije

HEXFET®

Status proizvoda

Obsolete

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

100 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

5.7A (Ta), 25A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

35mOhm @ 5.7A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4.9V @ 50µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

890 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

3W (Ta), 42W (Tc)

Radna temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

DIRECTFET™ SJ

Paket / slučaj

DirectFET™ Isometric SJ

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

4,800

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

RoHS non-compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

infineon-technologies

IRF9Z24NSTRLPBF

MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

IRF7807ATR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IPD85P04P4L06ATMA1

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

infineon-technologies

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6