Proizvođač Broj proizvoda:
IRF6613TR1PBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF6613TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12809117
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF6613TR1PBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
23A (Ta), 150A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.25V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5950 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DIRECTFET™ MT
Paket / slučaj
DirectFET™ Isometric MT
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
IRF6613TR1PBFTR
SP001528336
IRF6613TR1PBFCT
IRF6613TR1PBFDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRF6613TRPBF
Proizvođač
International Rectifier
KOLIČINA DOSTUPNA
22143
DiGi BROJ DELOVA
IRF6613TRPBF-DG
JEDINIČNA CENA
1.07
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPP80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
