Proizvođač Broj proizvoda:
IRF6603
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF6603-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12804028
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF6603 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
27A (Ta), 92A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
+20V, -12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6590 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DIRECTFET™ MT
Paket / slučaj
DirectFET™ Isometric MT
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,800
Ostala imena
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
PSMN3R5-30YL,115
Proizvođač
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
7138
DiGi BROJ DELOVA
PSMN3R5-30YL,115-DG
JEDINIČNA CENA
0.40
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
IPP60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
