Proizvođač Broj proizvoda:
IRF6100
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF6100-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Inventar:
12823628
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF6100 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.1A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
65mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1230 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.2W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
4-FlipFet™
Paket / slučaj
4-FlipFet™
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
6,000
Ostala imena
IRF6100TR
*IRF6100
IRF6100CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFR3412TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IXFX120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
IRFS7530PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
