Proizvođač Broj proizvoda:
IRF5850TR
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF5850TR-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12805827
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF5850TR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.2A
Srs Na (maks) @ id, vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
320pF @ 15V
Snaga - Maks
960mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dobavljač uređaja Paket
6-TSOP
Osnovni broj proizvoda
IRF58
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SP001564468
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7756TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
IRF8313PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
IRF9953
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
