IRF3710L
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF3710L

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

Broj dela:

IRF3710L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

RFQ Online
12810793
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF3710L Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
57A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
23mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3130 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
200W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-262
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IRF3710L
Tehnički listovi
IRF3710S/L
HTML Tehnička dokumentacija
IRF3710L-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
*IRF3710L

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
infineon-technologies

IRFU120ZPBF

MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK

infineon-technologies

IRFH5006TR2PBF

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

tt-electronics-optek-technology

HCT7000M

MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

tt-electronics-optek-technology

HCT7000MTX

MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD