IRF3415L
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF3415L

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

Broj dela:

IRF3415L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Detaljan opis:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

RFQ Online
12804539
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF3415L Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
150 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
43A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
42mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2400 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-262
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IRF3415L
Tehnički listovi
IRF3415S/L
HTML Tehnička dokumentacija
IRF3415L-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
*IRF3415L

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
infineon-technologies

IRFR9120NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

infineon-technologies

IRFR3910TRL

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

infineon-technologies

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

infineon-technologies

IPD30N12S3L31ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+