Proizvođač Broj proizvoda:
IRF1902GTRPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF1902GTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805939
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF1902GTRPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.2A (Ta)
Srs Na (maks) @ id, vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
700mV @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
310 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
-
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
SP001561612
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRL530NSTRL
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRF6628TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
IRLTS6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
