Proizvođač Broj proizvoda:
IRF1010NL
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF1010NL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
Detaljan opis:
N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12804165
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF1010NL Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
55 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
85A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
11mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3210 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
180W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-262
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
*IRF1010NL
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7451TR
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
IRFH7184ATRPBF
MOSFET N-CH 8-TDSON
