Proizvođač Broj proizvoda:
IPW60R017C7XKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPW60R017C7XKSA1-DG
Opis:
HIGH POWER_NEW
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
12803928
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPW60R017C7XKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
109A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.91mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
9890 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
446W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO247-3-41
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
IPW60R017
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
IPW60R017C7XKSA1-DG
448-IPW60R017C7XKSA1
SP001313542
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPZ60R017C7XKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
257
DiGi BROJ DELOVA
IPZ60R017C7XKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
14.02
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
