Proizvođač Broj proizvoda:
IPD80R360P7ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPD80R360P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12851854
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD80R360P7ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
13A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 280µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
930 pF @ 500 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
84W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO252-3
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD80R
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
IPD80R360P7ATMA1CT
SP001633516
IPD80R360P7ATMA1TR
IPD80R360P7ATMA1DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
STD13N60M2
Proizvođač
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
8724
DiGi BROJ DELOVA
STD13N60M2-DG
JEDINIČNA CENA
0.81
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDT439N
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
