Proizvođač Broj proizvoda:
IPD60R650CEAUMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPD60R650CEAUMA1-DG
Opis:
CONSUMER
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
12800711
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
LjGP
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD60R650CEAUMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CE
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 200µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
440 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
82W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO252-3-344
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD60R
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SP001396884
2156-IPD60R650CEAUMA1
ROCINFIPD60R650CEAUMA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
AOD7S65
Proizvođač
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
2492
DiGi BROJ DELOVA
AOD7S65-DG
JEDINIČNA CENA
0.58
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB90N06S4L04ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPA70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220