Proizvođač Broj proizvoda:
IPB180N06S4H1ATMA2
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
6672 kom. Nova originalna na skladištu
12803365
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPB180N06S4H1ATMA2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
180A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
21900 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
250W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO263-7
Paket / slučaj
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovni broj proizvoda
IPB180
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
IFEINFIPB180N06S4H1ATMA2
2156-IPB180N06S4H1ATMA2
448-IPB180N06S4H1ATMA2CT
SP001028786
448-IPB180N06S4H1ATMA2TR
448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB120N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF1404ZGPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3