Proizvođač Broj proizvoda:
IPB100N04S4H2ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPB100N04S4H2ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
4996 kom. Nova originalna na skladištu
12801210
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPB100N04S4H2ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 70µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7180 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
115W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO263-3-2
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IPB100
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
IPB100N04S4-H2
2156-IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1CT
IPB100N04S4-H2-DG
IPB100N04S4H2ATMA1DKR
SP000711274
IPB100N04S4H2ATMA1TR
INFINFIPB100N04S4H2ATMA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
