Proizvođač Broj proizvoda:
IPA65R150CFDXKSA2
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPA65R150CFDXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
500 kom. Nova originalna na skladištu
12799484
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPA65R150CFDXKSA2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
22.4A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 900µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2340 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
34.7W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO220-FP
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
IPA65R
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
SP001977012
448-IPA65R150CFDXKSA2
IPA65R150CFDXKSA2-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON