Proizvođač Broj proizvoda:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IAUS165N08S5N029ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Detaljan opis:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventar:
1374 kom. Nova originalna na skladištu
12802889
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IAUS165N08S5N029ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
80 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
165A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 108µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6370 pF @ 40 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
167W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-HSOG-8-1
Paket / slučaj
8-PowerSMD, Gull Wing
Osnovni broj proizvoda
IAUS165
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,800
Ostala imena
IAUS165N08S5N029ATMA1DKR
IAUS165N08S5N029ATMA1TR
IAUS165N08S5N029ATMA1CT
SP001643350
2156-IAUS165N08S5N029ATMA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPA60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
IPI80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
