Proizvođač Broj proizvoda:
BSS127H6327XTSA2
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSS127H6327XTSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
101483 kom. Nova originalna na skladištu
12799576
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSS127H6327XTSA2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
SIPMOS®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
21mA (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.6V @ 8µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
28 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
500mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-SOT23
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
BSS127
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
BSS127H6327XTSA2TR
BSS127H6327XTSA2DKR
BSS127H6327XTSA2CT
SP000919332
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
