Proizvođač Broj proizvoda:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventar:
4973 kom. Nova originalna na skladištu
12798547
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
xSga
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSO080P03SHXUMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12.6A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5890 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.79W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-DSO-8
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
BSO080
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
