Proizvođač Broj proizvoda:
BSB044N08NN3GXUMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSB044N08NN3GXUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Detaljan opis:
N-Channel 80 V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
5725 kom. Nova originalna na skladištu
12830496
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSB044N08NN3GXUMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
80 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Ta), 90A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 97µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5700 pF @ 40 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / slučaj
3-WDSON
Osnovni broj proizvoda
BSB044
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSB044N08NN3 GDKR
BSB044N08NN3GXUMA1TR
2156-BSB044N08NN3GXUMA1-448
BSB044N08NN3 GTR-DG
BSB044N08NN3 G-DG
BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3GXUMA1DKR
BSB044N08NN3G
BSB044N08NN3 G
BSB044N08NN3 GCT-DG
BSB044N08NN3GXUMA1CT
SP000604542
BSB044N08NN3 GDKR-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BUK9508-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
PSMN030-150P,127
MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
PMBF170,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
