IRF626
Proizvođač Broj proizvoda:

IRF626

Product Overview

Proizvođač:

Harris Corporation

Broj dela:

IRF626-DG

Opis:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljan opis:
N-Channel 275 V 3.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

997 kom. Nova originalna na skladištu
12933619
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IRF626 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
275 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.1Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
340 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
40W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
523
Ostala imena
HARHARIRF626
2156-IRF626

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
renesas-electronics-america

2SK1401A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF9522

P-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

EFC4601R-M-TR

NCH 2.5V DRIVE SERIES