GT6K2P10KH
Proizvođač Broj proizvoda:

GT6K2P10KH

Product Overview

Proizvođač:

Goford Semiconductor

Broj dela:

GT6K2P10KH-DG

Opis:

MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Detaljan opis:
P-Channel 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

15000 kom. Nova originalna na skladištu
12978151
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

GT6K2P10KH Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
SGT
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.3A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
670mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Dodatne informacije

Standardni paket
2,500
Ostala imena
4822-GT6K2P10KHTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
international-rectifier

AUIRFB8405

AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A

fairchild-semiconductor

FCH043N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

vishay-siliconix

SIHA17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

taiwan-semiconductor

TQM110NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU