Proizvođač Broj proizvoda:
G66
Product Overview
Proizvođač:
Goford Semiconductor
Broj dela:
G66-DG
Opis:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Detaljan opis:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
13001951
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
G66 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Vgs (Maks)
±8V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
1.7W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
6-DFN (2x2)
Paket / slučaj
6-WDFN Exposed Pad
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
4822-G66TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FCPF360N65S3R0-F154
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
IPP023N10N5XKSA1
TRENCH >=100V
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
