G30N02T
Proizvođač Broj proizvoda:

G30N02T

Product Overview

Proizvođač:

Goford Semiconductor

Broj dela:

G30N02T-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Detaljan opis:
N-Channel 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

5000 kom. Nova originalna na skladištu
12978364
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

G30N02T Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Vgs (Maks)
±12V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
40W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
2,000
Ostala imena
4822-G30N02T

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
goford-semiconductor

G08P06D3

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

goford-semiconductor

G08P06D3

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

goford-semiconductor

GT088N06T

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220