Proizvođač Broj proizvoda:
G29
Product Overview
Proizvođač:
Goford Semiconductor
Broj dela:
G29-DG
Opis:
P15V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventar:
12864 kom. Nova originalna na skladištu
12978216
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
G29 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.1A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
900mV @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1151 pF @ 10 V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
1.05W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
3141-G29DKR
3141-G29TR
4822-G29TR
3141-G29CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
