Proizvođač Broj proizvoda:
G110N06T
Product Overview
Proizvođač:
Goford Semiconductor
Broj dela:
G110N06T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Detaljan opis:
N-Channel 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
6000 kom. Nova originalna na skladištu
13001180
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
G110N06T Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
110A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
6.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
160W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220
Paket / slučaj
TO-220-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
4822-G110N06T
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
PJQ1906_R1_00001
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
