FQP6N60C
Proizvođač Broj proizvoda:

FQP6N60C

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FQP6N60C-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

20356 kom. Nova originalna na skladištu
12946638
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FQP6N60C Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
810 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
353
Ostala imena
2156-FQP6N60C
FAIFSCFQP6N60C

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDPF12N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8444

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1