FDMC0202S
Proizvođač Broj proizvoda:

FDMC0202S

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FDMC0202S-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Detaljan opis:
N-Channel 25 V 22.5A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

Inventar:

15629 kom. Nova originalna na skladištu
12946220
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDMC0202S Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
25 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
22.5A (Ta), 40A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.15mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2705 pF @ 13 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.3W (Ta), 52W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-PQFN (3.3x3.3)
Paket / slučaj
8-PowerTDFN

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
FDMC0202S Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
1,210
Ostala imena
2156-FDMC0202S
FAIFSCFDMC0202S

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
renesas-electronics-america

2SJ356(0)-T1-AY

2SJ356 - SIGNAL DEVICE

international-rectifier

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P

onsemi

2SK3704-1EX

MOSFET N-CH

fairchild-semiconductor

FCP260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N