Proizvođač Broj proizvoda:
FDD6680AS
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FDD6680AS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
9341 kom. Nova originalna na skladištu
12946515
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
qZqR
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDD6680AS Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®, SyncFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
55A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1200 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
60W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252 (DPAK)
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
528
Ostala imena
2156-FDD6680AS
ONSONSFDD6680AS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
AUIRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDC8886
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF2907ZPBF
IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
