Proizvođač Broj proizvoda:
FDC855N
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FDC855N-DG
Opis:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
10062 kom. Nova originalna na skladištu
12946497
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDC855N Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.1A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
655 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.6W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SuperSOT™-6
Paket / slučaj
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,265
Ostala imena
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
