FDC855N
Proizvođač Broj proizvoda:

FDC855N

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FDC855N-DG

Opis:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

10062 kom. Nova originalna na skladištu
12946497
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDC855N Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.1A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
655 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.6W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SuperSOT™-6
Paket / slučaj
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
1,265
Ostala imena
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDP8440

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP13N06L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6N25TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4