Proizvođač Broj proizvoda:
FDA16N50-F109
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FDA16N50-F109-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
270 kom. Nova originalna na skladištu
12946682
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDA16N50-F109 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
UniFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
16.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1945 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
205W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PN
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
184
Ostala imena
2156-FDA16N50-F109
ONSFSCFDA16N50-F109
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDA18N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6