Proizvođač Broj proizvoda:
FCPF11N60
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FCPF11N60-DG
Opis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
461 kom. Nova originalna na skladištu
12946176
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FCPF11N60 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
SuperFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1490 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
36W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220F-3
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
175
Ostala imena
2156-FCPF11N60
ONSFSCFCPF11N60
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
FDS6294
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
