FCP600N60Z
Proizvođač Broj proizvoda:

FCP600N60Z

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FCP600N60Z-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

781 kom. Nova originalna na skladištu
12946347
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FCP600N60Z Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
SuperFET® II
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7.4A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1120 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
89W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3

Dodatne informacije

Standardni paket
258
Ostala imena
2156-FCP600N60Z
ONSFSCFCP600N60Z

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FCP4N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK6607-55C,118

NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,

fairchild-semiconductor

FDP8860

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8