FCP13N60N
Proizvođač Broj proizvoda:

FCP13N60N

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FCP13N60N-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

3543 kom. Nova originalna na skladištu
12946042
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FCP13N60N Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
SupreMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
13A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
258mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1765 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
116W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
116
Ostala imena
2156-FCP13N60N
FAIFSCFCP13N60N

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP11N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE

fairchild-semiconductor

FCP16N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1