Proizvođač Broj proizvoda:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Proizvođač:
EPC
Broj dela:
EPC2105ENGRT-DG
Opis:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Detaljan opis:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Inventar:
12795182
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
EPC2105ENGRT Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
EPC
Pakovanje
-
Serije
eGaN®
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguracija
2 N-Channel (Half Bridge)
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
80V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.5A
Srs Na (maks) @ id, vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 2.5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
300pF @ 40V
Snaga - Maks
-
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
Die
Dobavljač uređaja Paket
Die
Osnovni broj proizvoda
EPC210
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
