Proizvođač Broj proizvoda:
DMWSH120H28SM4Q
Product Overview
Proizvođač:
Diodes Incorporated
Broj dela:
DMWSH120H28SM4Q-DG
Opis:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
59 kom. Nova originalna na skladištu
13000680
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
DMWSH120H28SM4Q Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Diodes Incorporated
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
15V
Srs Na (maks) @ id, vgs
28.5mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
3.6V @ 17.7mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
156.3 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+19V, -8V
Rasipanje snage (maks)
429W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247-4
Paket / slučaj
TO-247-4
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
31-DMWSH120H28SM4Q
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMN2310UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMT32M4LFG-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN1008UFDFQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
