Proizvođač Broj proizvoda:
DMTH6006LPSW-13
Product Overview
Proizvođač:
Diodes Incorporated
Broj dela:
DMTH6006LPSW-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 17.2A (Ta), 100A (Tc) 2.88W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Inventar:
13270164
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
DMTH6006LPSW-13 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Diodes Incorporated
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
34.9 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2162 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.88W (Ta), 100W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerDI5060-8 (Type Q)
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
DMTH6006
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
31-DMTH6006LPSW-13TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SIR150DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
