DMN3112SSS-13

Proizvođač Broj proizvoda:

DMN3112SSS-13

Product Overview

Proizvođač:

Diodes Incorporated

Broj dela:

DMN3112SSS-13-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Detaljan opis:

N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

RFQ Online

12891490

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

DMN3112SSS-13 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Diodes Incorporated

Pakovanje

-

Serije

-

Status proizvoda

Obsolete

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

30 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

6A (Ta)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

57mOhm @ 5.8A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.2V @ 250µA

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

268 pF @ 15 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

2.5W (Ta)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

8-SOP

Paket / slučaj

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Osnovni broj proizvoda

DMN3112

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

DMN3112SSS-13-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Ostala imena

DMN3112SSS13

DMN3112SSSDICT

DMN3112SSSDITR

DMN3112SSSDIDKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

diodes

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2035(T5L,F,T)

MOSFET N-CH 20V 100MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5R906NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP