DMN3055LFDB-13

Proizvođač Broj proizvoda:

DMN3055LFDB-13

Product Overview

Proizvođač:

Diodes Incorporated

Broj dela:

DMN3055LFDB-13-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN

Detaljan opis:

Mosfet Array 5A (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

Inventar:

RFQ Online

12898714

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

DMN3055LFDB-13 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

Diodes Incorporated

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Dual)

FET karakteristika

-

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

5A (Ta)

Srs Na (maks) @ id, vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

458pF @ 15V

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

6-UDFN Exposed Pad

Dobavljač uređaja Paket

U-DFN2020-6 (Type B)

Osnovni broj proizvoda

DMN3055

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

DMN3055LFDB-13-DG

Dodatne informacije

Standardni paket

10,000

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

diodes

DMN5L06VK-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

diodes

DMG4822SSDQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM2537CQ RFG

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN