DMJ65H650SCTI
Proizvođač Broj proizvoda:

DMJ65H650SCTI

Product Overview

Proizvođač:

Diodes Incorporated

Broj dela:

DMJ65H650SCTI-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 31W (Tc) Through Hole ITO-220AB (Type TH)

Inventar:

RFQ Online
12949652
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

DMJ65H650SCTI Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Diodes Incorporated
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
639 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
ITO-220AB (Type TH)
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovni broj proizvoda
DMJ65

Dodatne informacije

Standardni paket
50
Ostala imena
DMJ65H650SCTIDI

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
diodes

ZXMN3A02X8TA

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

diodes

DMP3056LSS-13

MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP

diodes

DMTH43M8LFGQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

toshiba-semiconductor-and-storage

TK34A10N1,S4X

MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS