Proizvođač Broj proizvoda:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Proizvođač:
Diodes Incorporated
Broj dela:
DMG7N65SJ3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12884126
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
DMG7N65SJ3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Diodes Incorporated
Pakovanje
-
Serije
Automotive, AEC-Q101
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
886 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-251
Paket / slučaj
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovni broj proizvoda
DMG7N65
Dodatne informacije
Standardni paket
75
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
